Транзистор 2SB762-P

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 120 до 250
• Корпус: TO-220

Транзисторы серии 2SB762 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB762-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 90, 2SB762-Q - в диапазоне от 70 до 150, 2SB762-P - в диапазоне от 120 до 250.Обозначение на корпусе транзистора 2SB762-P часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B762-P".Комплементарной парой для 2SB762-P является транзистор 2SD857-P c n-p-n структурой.Транзистор 2SB762-P можно заменить на 2SA1262, 2SA1289, 2SA1290, 2SA1291, 2SA1469, 2SA1470, 2SA1471, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA1634, 2SA1635, 2SA770, 2SA771, 2SB633, 2SB762A, 2SB762A-P, 2SB858, 2SB870, 2SB942, 2SB942-P, 2SB942A, 2SB942A-P, 2SB944, 2SB945, 2SB946, BD204, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G