Транзистор MJE5851GЦоколевка транзистора MJE5851GХарактеристики транзистора MJE5851G- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -350 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -400 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
- Ток коллектора, не более: -8 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15
- Корпус: TO-220
АналогиТранзистор MJE5851G можно заменить на MJE5851, MJE5852, MJE5852G
|