Транзистор 2SB1375

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V
• Ток коллектора, не более: -3 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 100 до 320
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 9 МГц
• Корпус: TO-220

Обозначение на корпусе транзистора 2SB1375 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B1375".Комплементарной парой для 2SB1375 является транзистор 2SD2012 c n-p-n структурой.Транзистор 2SB1375 можно заменить на 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA1634, 2SA1635, 2SA770, 2SA771, 2SB1187, 2SB1565, 2SB507, 2SB633, 2SB858, BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, KSB1366, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G