Справочник радиолюбителя

Транзистор 2SB716-E

Цоколевка транзистора 2SB716-E

Цоколевка транзистора 2SB716-E (маркируется как B716-E)

Характеристики транзистора 2SB716-E

  • Структура - p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
  • Ток коллектора, не более: -0.05 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 400 до 800
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц
  • Корпус: TO-92MOD

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB716 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB716-D имеет коэффициент усиления в диапазоне от 250 до 500, 2SB716-E - в диапазоне от 400 до 800.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB716-E часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B716-E".

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB716-E является транзистор 2SD756-E c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB716-E можно заменить на 2SA1016K, 2SA1082, 2SA1082-E, 2SA1085, 2SA1085-E, 2SA1285, 2SA1285-G, 2SA1285A, 2SA872A, 2SA872A-E, 2SA992, 2SA992E, KSA992, KSA992E, KTA1279