Справочник радиолюбителя

Транзистор 2SB716-D

Цоколевка транзистора 2SB716-D

Цоколевка транзистора 2SB716-D (маркируется как B716-D)

Характеристики транзистора 2SB716-D

  • Структура - p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
  • Ток коллектора, не более: -0.05 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 250 до 500
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц
  • Корпус: TO-92MOD

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB716 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB716-D имеет коэффициент усиления в диапазоне от 250 до 500, 2SB716-E - в диапазоне от 400 до 800.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB716-D часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B716-D".

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB716-D является транзистор 2SD756-D c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB716-D можно заменить на 2SA1016K, 2SA1082, 2SA1082-D, 2SA1085, 2SA1085-D, 2SA1285, 2SA1285-F, 2SA1285A, 2SA1285A-F, 2SA1376, 2SA872A, 2SA872A-D, 2SA970, 2SA992, 2SB716A, 2SB716A-D, KSA992, KTA1279