Справочник радиолюбителя

Транзистор 2SD756-E

Цоколевка транзистора 2SD756-E

Цоколевка транзистора 2SD756-E (маркируется как D756-E)

Характеристики транзистора 2SD756-E

  • Структура - n-p-n
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
  • Ток коллектора, не более: 0.05 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 400 до 800
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 350 МГц
  • Корпус: TO-92MOD

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SD756 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD756-D имеет коэффициент усиления в диапазоне от 250 до 500, 2SD756-E - в диапазоне от 400 до 800.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SD756-E часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "D756-E".

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SD756-E является транзистор 2SB716-E c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор 2SD756-E можно заменить на 2SC1775A, 2SC1775A-E, 2SC1841, 2SC1841E, 2SC1845, 2SC1845E, 2SC2326K, 2SC2544, 2SC2544-E, 2SC2547, 2SC2547-E, 2SC2547E, 2SC3245, 2SC3245-G, 2SC3245A, KSC1845, KSC1845E