Транзистор TIP101G

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 8 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 1000 до 20000
• Корпус: TO-220

Комплементарной парой для TIP101G является транзистор TIP106G c p-n-p структурой.Транзистор TIP101G можно заменить на 2N6044, 2N6044G, 2N6045, 2N6045G, 2N6388, 2N6388G, 2SC2898, BD537, BD543B, BD543C, BD545B, BD545C, BD647, BD649, BD651, BD799, BD801, BD809, BD899, BD899A, BD901, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73B, BDW73C, BDW73D, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53B, BDX53BG, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, BDX77, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJE15032, MJE15032G, MJE15034, MJE15034G, MJE5740, MJE5741, MJE5742, MJF15030, MJF15030G, TIP101, TIP102, TIP102G, TIP142T, TIP160, TIP161, TIP162