Транзистор BD647

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 8 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 62.5 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 750
• Корпус: TO-220

Комплементарной парой для BD647 является транзистор BD648 c p-n-p структурой.Транзистор BD647 можно заменить на 2N6045, 2N6045G, 2N6532, BD649, BD651, BD901, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73C, BDW73D, BDW93C, BDW93CF, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, MJF6388, MJF6388G, TIP102, TIP102G, TIP132, TIP132G, TIP142T