Справочник радиолюбителя

Транзистор BDT63B

Цоколевка транзистора BDT63B

Цоколевка транзистора BDT63B

Характеристики транзистора BDT63B

  • Структура - n-p-n
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
  • Ток коллектора, не более: 10 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000
  • Корпус: TO-220

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BDT63B является транзистор BDT62B c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор BDT63B можно заменить на BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388, MJF6388G, TIP142T