Транзистор BD648

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -8 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 62.5 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 750
• Корпус: TO-220

Комплементарной парой для BD648 является транзистор BD647 c n-p-n структурой.Транзистор BD648 можно заменить на 2N6042, 2N6042G, BD650, BD652, BD902, BDT62B, BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW74C, BDW74D, BDW94C, BDW94CF, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54C, BDX54CG, MJF6668, MJF6668G, TIP107, TIP107G, TIP137, TIP137G, TIP147T