Справочник радиолюбителя

Транзистор KSB1116S-L

Цоколевка транзистора KSB1116S-L

Цоколевка транзистора KSB1116S-L

Характеристики транзистора KSB1116S-L

  • Структура - p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
  • Ток коллектора, не более: -1 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 300 до 600
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 120 МГц
  • Корпус: TO-92

Классификация по hFE

Транзисторы серии KSB1116S делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KSB1116S-Y имеет коэффициент усиления в диапазоне от 135 до 270, KSB1116S-G - в диапазоне от 200 до 400, KSB1116S-L - в диапазоне от 300 до 600.

Аналоги

Транзистор KSB1116S-L можно заменить на 2SB1116, 2SB1116-U, 2SB1116A-U, 2SB1116U, KSB1116, KSB1116-L