Транзистор KSB1116Цоколевка транзистора KSB1116Характеристики транзистора KSB1116- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
- Ток коллектора, не более: -1 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 135 до 600
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 120 МГц
- Корпус: TO-92
Классификация по hFEТранзисторы серии KSB1116 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KSB1116-Y имеет коэффициент усиления в диапазоне от 135 до 270, KSB1116-G - в диапазоне от 200 до 400, KSB1116-L - в диапазоне от 300 до 600. Комплементарная параКомплементарной парой для KSB1116 является транзистор KSD1616 c n-p-n структурой. АналогиТранзистор KSB1116 можно заменить на 2SB1116, KSB1116S
|