Транзистор BD779

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 15 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 750
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
• Корпус: TO-126

Комплементарной парой для BD779 является транзистор BD780 c p-n-p структурой.Транзистор BD779 можно заменить на 2N6039, 2N6039G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, KSE802, KSE803, MJE802, MJE802G, MJE803, MJE803G