Транзистор BD780

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 15 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 750
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
• Корпус: TO-126

Комплементарной парой для BD780 является транзистор BD779 c n-p-n структурой.Транзистор BD780 можно заменить на 2N6036, 2N6036G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, KSE702, KSE703, MJE702, MJE702G, MJE703, MJE703G