Справочник радиолюбителя

Транзистор BD681G

Цоколевка транзистора BD681G

Цоколевка транзистора BD681G

Характеристики транзистора BD681G

  • Структура - n-p-n
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
  • Ток коллектора, не более: 4 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750
  • Корпус: TO-126

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BD681G является транзистор BD682G c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор BD681G можно заменить на BD681