Справочник радиолюбителя

Транзистор MJE803G

Цоколевка транзистора MJE803G

Цоколевка транзистора MJE803G

Характеристики транзистора MJE803G

  • Структура - n-p-n
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
  • Ток коллектора, не более: 4 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750
  • Корпус: TO-126

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MJE803G является транзистор MJE703G c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор MJE803G можно заменить на 2N6039, 2N6039G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD779, KSE802, KSE803, MJE802, MJE802G, MJE803