Транзистор BDW51B

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 15 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 125 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 750 до 150
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-3

Комплементарной парой для BDW51B является транзистор BDW52B c p-n-p структурой.Транзистор BDW51B можно заменить на 2N6283, 2N6283G, 2N6284, 2N6284G, 2N6472, 2N6676, 2N6677, 2N6678, 2SC1584, 2SC1585, 2SC1586, 2SC2431, 2SC2433, 2SD753, 2SD753-C, 2SD797, BDW51C, BUX48, BUX48A, MJ10000, MJ10001, MJ11018, MJ11020, MJ11022, MJ11022G, MJ12022, MJ15001, MJ15001G, MJ15003, MJ15003G