Справочник радиолюбителя

Транзистор 2SD669-C

Цоколевка транзистора 2SD669-C

Цоколевка транзистора 2SD669-C (маркируется как D669-C)

Характеристики транзистора 2SD669-C

  • Структура - n-p-n
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: 180 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
  • Ток коллектора, не более: 1.5 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
  • Корпус: TO-126

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SD669 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD669-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SD669-C - в диапазоне от 100 до 200, 2SD669-D - в диапазоне от 160 до 320.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SD669-C часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "D669-C".

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SD669-C является транзистор 2SB649-C c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор 2SD669-C можно заменить на 2SC3117, 2SC3117-R, 2SD669A, 2SD669A-C