Справочник радиолюбителя

Транзистор 2SB649-C

Цоколевка транзистора 2SB649-C

Цоколевка транзистора 2SB649-C (маркируется как B649-C)

Характеристики транзистора 2SB649-C

  • Структура - p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -180 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
  • Ток коллектора, не более: -1.5 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
  • Корпус: TO-126

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB649 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB649-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB649-C - в диапазоне от 100 до 200, 2SB649-D - в диапазоне от 160 до 320.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB649-C часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B649-C".

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB649-C является транзистор 2SD669-C c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB649-C можно заменить на 2SA1249, 2SA1249-Q, 2SB649A, 2SB649A-C