Справочник радиолюбителя

Транзистор 2SB1161-Q

Цоколевка транзистора 2SB1161-Q

Цоколевка транзистора 2SB1161-Q (маркируется как B1161-Q)

Характеристики транзистора 2SB1161-Q

  • Структура - p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -160 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -160 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
  • Ток коллектора, не более: -12 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 120 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 120
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
  • Корпус: TO-3PF

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB1161 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1161-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB1161-S - в диапазоне от 80 до 160, 2SB1161-P - в диапазоне от 100 до 200.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB1161-Q часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B1161-Q".

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB1161-Q является транзистор 2SD1716-Q c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB1161-Q можно заменить на 2SA1673, 2SA1987