Транзистор 2SB761A

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -3 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 35 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 40 до 250
• Корпус: TO-220

Транзисторы серии 2SB761A делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB761A-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 90, 2SB761A-Q - в диапазоне от 70 до 150, 2SB761A-P - в диапазоне от 120 до 250.Обозначение на корпусе транзистора 2SB761A часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B761A".Комплементарной парой для 2SB761A является транзистор 2SD856A c n-p-n структурой.Транзистор 2SB761A можно заменить на 2SA1488A, 2SA771, 2SB633, 2SB762A, 2SB942A, BD242B, BD242C, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD800, BD802, BD810, BD938, BD938F, BD940, BD940F, BD942, BD942F, BD952, BD954, BD956, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G