Справочник радиолюбителя

Транзистор BD810

Цоколевка транзистора BD810

Цоколевка транзистора BD810

Характеристики транзистора BD810

  • Структура - p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
  • Ток коллектора, не более: -10 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 2 МГц
  • Корпус: TO-220

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BD810 является транзистор BD809 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор BD810 можно заменить на 2N6668, 2N6668G, 2SB817, 2SB817-D, 2SB817-E, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, FJP1943, FJP1943O, FJP1943R, FJPF1943, FJPF1943O, FJPF1943R, MJF6668, MJF6668G