Транзистор BD649Цоколевка транзистора BD649Характеристики транзистора BD649- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 8 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 62.5 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750
- Корпус: TO-220
Комплементарная параКомплементарной парой для BD649 является транзистор BD650 c p-n-p структурой. АналогиТранзистор BD649 можно заменить на BD651, BDT63C, BDT65C, BDW43, BDW73D, BDX33D
|