Справочник радиолюбителя

Транзистор BDT63C

Цоколевка транзистора BDT63C

Цоколевка транзистора BDT63C

Характеристики транзистора BDT63C

  • Структура - n-p-n
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
  • Ток коллектора, не более: 10 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000
  • Корпус: TO-220

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BDT63C является транзистор BDT62C c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор BDT63C можно заменить на BDT65C, BDW43