Справочник радиолюбителя

Транзистор 2SD789-C

Цоколевка транзистора 2SD789-C

Цоколевка транзистора 2SD789-C (маркируется как D789-C)

Характеристики транзистора 2SD789-C

  • Структура - n-p-n
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
  • Ток коллектора, не более: 1 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.9 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 160 до 320
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
  • Корпус: TO-92MOD

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SD789 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD789-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 100 до 200, 2SD789-C - в диапазоне от 160 до 320, 2SD789-D - в диапазоне от 250 до 500, 2SD789-E - в диапазоне от 400 до 800.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SD789-C часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "D789-C".

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SD789-C является транзистор 2SB740-C c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор 2SD789-C можно заменить на 2SC2383, 2SC2383-Y, 2SC3228, 2SC3228-Y, 2SD1616A, 2SD667, 2SD667D, KSC2383, KSC2383Y, KSD1616A, KTC3228, KTC3228Y, NTE382