Справочник радиолюбителя

Транзистор 2SB966-P

Цоколевка транзистора 2SB966-P

Цоколевка транзистора 2SB966-P (маркируется как B966-P)

Характеристики транзистора 2SB966-P

  • Структура - p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
  • Ток коллектора, не более: -8 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 160 до 320
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 65 МГц
  • Корпус: TO-3P

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB966 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB966-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB966-Q - в диапазоне от 100 до 200, 2SB966-P - в диапазоне от 160 до 320.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB966-P часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B966-P".

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB966-P является транзистор 2SD1289-P c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB966-P можно заменить на 2SA1106