Справочник радиолюбителя

Транзистор 2SB772E

Цоколевка транзистора 2SB772E

Цоколевка транзистора 2SB772E (маркируется как B772E)

Характеристики транзистора 2SB772E

  • Структура - p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -40 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
  • Ток коллектора, не более: -3 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 200 до 400
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 80 МГц
  • Корпус: TO-126

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB772 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB772R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB772O - в диапазоне от 100 до 200, 2SB772Y - в диапазоне от 160 до 320, 2SB772GR - в диапазоне от 200 до 400, 2SB772Q - в диапазоне от 100 до 200, 2SB772P - в диапазоне от 160 до 320, 2SB772E - в диапазоне от 200 до 400.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB772E часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B772E".

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB772E является транзистор 2SD882E c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB772E можно заменить на 2SB986, 2SB986-T, BD132, BD186, BD188, BD190, KSB772, KSB772-G, KSH772, KSH772-G, KTB772, KTB772-GR, MJE232, MJE235, MJE252, MJE254