Справочник радиолюбителя

Транзистор 2SB1559-P

Цоколевка транзистора 2SB1559-P

Цоколевка транзистора 2SB1559-P (маркируется как B1559-P)

Характеристики транзистора 2SB1559-P

  • Структура - p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -150 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -160 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
  • Ток коллектора, не более: -8 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 6500 до 20000
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 65 МГц
  • Корпус: TO-3P

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB1559 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1559-O имеет коэффициент усиления в диапазоне от 5000 до 12000, 2SB1559-P - в диапазоне от 6500 до 20000, 2SB1559-Y - в диапазоне от 15000 до 30000.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB1559-P часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B1559-P".

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB1559-P является транзистор 2SD2389-P c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB1559-P можно заменить на 2SB1560, 2SB1560-P, BDV66D