Транзистор 2SB1009-R

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -32 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -40 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -2 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 180 до 390
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
• Корпус: TO-126

Транзисторы серии 2SB1009 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1009-P имеет коэффициент усиления в диапазоне от 82 до 180, 2SB1009-Q - в диапазоне от 120 до 270, 2SB1009-R - в диапазоне от 180 до 390.Обозначение на корпусе транзистора 2SB1009-R часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B1009-R".Комплементарной парой для 2SB1009-R является транзистор 2SD1380-R c n-p-n структурой.Транзистор 2SB1009-R можно заменить на 2SB986, BD132, BD188, BD190, BD234, BD234G, BD236, BD236G, BD238, BD238G, MJE232, MJE235, MJE252, MJE254, MJE371, MJE371G