Транзистор BDW63B

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 6 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 750 до 20000
• Корпус: TO-220

Комплементарной парой для BDW63B является транзистор BDW64B c p-n-p структурой.Транзистор BDW63B можно заменить на 2SC1986, 2SC2316, 2SC2898, 2SC4242, 2SD823, BD243B, BD243C, BD537, BD543B, BD543C, BD545B, BD545C, BD647, BD649, BD651, BD799, BD801, BD809, BD899, BD899A, BD901, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW23B, BDW23C, BDW63C, BDW63D, BDW73B, BDW73C, BDW73D, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53B, BDX53BG, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, BDX77, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJE15032, MJE15032G, MJE15034, MJE15034G, MJE5740, MJE5741, MJE5742, MJF15030, MJF15030G, TIP150, TIP151, TIP152, TIP160, TIP161, TIP162, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E, TIP42F