Справочник по отечественным транзисторам

Транзистор П216Г

Цоколевка транзистора П216Г

Обозначение транзистора П216Г на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора П216Г обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Характеристики транзистора П216Г

Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 50 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 7,5 А мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 24* Вт Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером >5 (3 В; 2 А)
Обратный ток коллектора <2,5 мА мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером >0,2* МГц

Смотрите также:

	ГТ806Д
	П216В
	Обозначение транзисторов на схеме
	Цоколевка транзисторов
	Проверка транзисторов мультиметром

Справочник по отечественным транзисторам

Справочник

Главная