Справочник радиолюбителя

Транзистор ГТ806Г

Цоколевка транзистора ГТ806Г

Цоколевка и размеры транзистора ГТ806Г

Обозначение транзистора ГТ806Г на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора ГТ806Г обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Обозначение транзистора ГТ806Г на схемах

Характеристики транзистора ГТ806Г

  • Структура p-n-p
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 50 В
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 50 В
  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 15000 мА
  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 2(30) Вт
  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 10-100
  • Обратный ток коллектора <=15000 мкА
  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>10 МГц