Транзистор TIP32F

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -160 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -200 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -3 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 10 до 50
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-220

Комплементарной парой для TIP32F является транзистор TIP31F c n-p-n структурой.