Транзистор NTE397

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -300 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -350 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 30 до 120
• Корпус: TO-39

Комплементарной парой для NTE397 является транзистор NTE396 c n-p-n структурой.Транзистор NTE397 можно заменить на 2N5416