Транзистор MMBT5550

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 140 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 160 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 0.6 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.35 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 60 до 250
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
• Корпус: SOT-23

Маркируется SMD-транзистор MMBT5550 кодом "1F".Транзистор MMBT5550 можно заменить на KST5550