Справочник радиолюбителя

Транзистор MJ11032G

Цоколевка транзистора MJ11032G

Цоколевка транзистора MJ11032G

Характеристики транзистора MJ11032G

  • Структура - n-p-n
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
  • Ток коллектора, не более: 50 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 300 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 до 18000
  • Корпус: TO-3

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MJ11032G является транзистор MJ11033G c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор MJ11032G можно заменить на MJ11032