Справочник радиолюбителя

Транзистор MJ11031G

Цоколевка транзистора MJ11031G

Цоколевка транзистора MJ11031G

Характеристики транзистора MJ11031G

  • Структура - p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -90 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -90 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
  • Ток коллектора, не более: -50 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 300 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 до 18000
  • Корпус: TO-3

Комплементарная пара

Комплементарной парой для MJ11031G является транзистор MJ11030G c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор MJ11031G можно заменить на MJ11031, MJ11033, MJ11033G