Справочник радиолюбителя

Транзистор HSD1609S

Цоколевка транзистора HSD1609S

Цоколевка транзистора HSD1609S

Характеристики транзистора HSD1609S

  • Структура - n-p-n
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: 160 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
  • Ток коллектора, не более: 0.1 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.9 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 320
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
  • Корпус: TO-92

Классификация по hFE

Транзисторы серии HSD1609S делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор HSD1609S-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, HSD1609S-C - в диапазоне от 100 до 200, HSD1609S-D - в диапазоне от 160 до 320.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для HSD1609S является транзистор HSB1109S c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор HSD1609S можно заменить на 2SC2383, 2SC3228, 2SC3467, 2SC3468, KSC2383, KTC3228