Справочник радиолюбителя

Транзистор BDT96

Цоколевка транзистора BDT96

Цоколевка транзистора BDT96

Характеристики транзистора BDT96

  • Структура - p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V
  • Ток коллектора, не более: -10 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 200
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
  • Корпус: TO-220

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BDT96 является транзистор BDT95 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор BDT96 можно заменить на BDT96F