Справочник радиолюбителя

Транзистор BD789

Цоколевка транзистора BD789

Цоколевка транзистора BD789

Характеристики транзистора BD789

  • Структура - n-p-n
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
  • Ток коллектора, не более: 4 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 15 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 250
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 40 МГц
  • Корпус: TO-126

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BD789 является транзистор BD790 c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор BD789 можно заменить на BD791, MJE242, MJE244