Транзистор BC636

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -45 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -45 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -0.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 40 до 250
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц
• Корпус: TO-92

Комплементарной парой для BC636 является транзистор BC635 c n-p-n структурой.Транзистор BC636 можно заменить на KSA708C, KTA1279