Транзистор 2STR1160

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 180 до 560
• Корпус: SOT-23

Комплементарной парой для 2STR1160 является транзистор 2STR2160 c p-n-p структурой.Транзистор 2STR1160 можно заменить на FMMT620, FMMT624, FMMT625, PBHV8115T