Транзистор 2SD1616

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 135 до 600
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 160 МГц
• Корпус: TO-92

Транзисторы серии 2SD1616 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1616L имеет коэффициент усиления в диапазоне от 135 до 270, 2SD1616K - в диапазоне от 200 до 400, 2SD1616U - в диапазоне от 300 до 600, 2SD1616-L - в диапазоне от 135 до 270, 2SD1616-K - в диапазоне от 200 до 400, 2SD1616-U - в диапазоне от 300 до 600.Обозначение на корпусе транзистора 2SD1616 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "D1616".Комплементарной парой для 2SD1616 является транзистор 2SB1116 c p-n-p структурой.Транзистор 2SD1616 можно заменить на 2SD789, KSD1616