Транзистор 2SB1151

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V
• Ток коллектора, не более: -5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 100 до 400
• Корпус: TO-126

Транзисторы серии 2SB1151 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1151-M имеет коэффициент усиления в диапазоне от 100 до 200, 2SB1151-L - в диапазоне от 160 до 320, 2SB1151-K - в диапазоне от 200 до 400.Обозначение на корпусе транзистора 2SB1151 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B1151".Комплементарной парой для 2SB1151 является транзистор 2SD1691 c n-p-n структурой.Транзистор 2SB1151 можно заменить на KSB1151