Транзистор 2N5401S

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -150 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -160 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -0.6 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.35 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 60 до 240
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
• Корпус: SOT-23

Маркируется SMD-транзистор 2N5401S кодом "ZE".Комплементарной парой для 2N5401S является транзистор 2N5551S c n-p-n структурой.Транзистор 2N5401S можно заменить на MMBT5401