Импортные биполярные транзисторы

Справочник

Транзистор 2N4356

Цоколевка транзистора 2N4356

Характеристики транзистора 2N4356

Структура - p-n-p
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
Ток коллектора, не более: -1 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.35 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 50 до 250
Граничная частота коэффициента передачи тока: 500 МГц
Корпус: TO-105

Смотрите также:

	Обозначение транзисторов на схеме
	Проверка транзисторов мультиметром

Импортные биполярные транзисторы

Справочник