Транзистор BDT64

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -12 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 125 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 1000
• Корпус: TO-220

Комплементарной парой для BDT64 является транзистор BDT65 c n-p-n структурой.Транзистор BDT64 можно заменить на BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDW45, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668, MJF6668G