Транзистор BDT64B

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -12 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 125 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 1000
• Корпус: TO-220

Комплементарной парой для BDT64B является транзистор BDT65B c n-p-n структурой.Транзистор BDT64B можно заменить на BDT64C, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668, MJF6668G