Транзистор BDT60B

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 750
• Корпус: TO-220

Комплементарной парой для BDT60B является транзистор BDT61B c n-p-n структурой.Транзистор BDT60B можно заменить на 2N6042, 2N6042G, 2SB1020, 2SB1020A, 2SB1626, 2SB1626-O, 2SB1626-P, 2SB1626-Y, 2SB673, BD650, BD652, BD902, BDT60C, BDT62B, BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDW24C, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW54C, BDW54D, BDW64C, BDW64D, BDW74C, BDW74D, BDW94C, BDW94CF, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54C, BDX54CG, MJF127, MJF127G, MJF6668, MJF6668G, TIP107, TIP107G, TIP127, TIP127G, TIP137, TIP137G, TIP147T, TTB1020B