Транзистор 2SD877

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 110 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
• Ток коллектора, не более: 3 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 60 до 300
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-66

Транзисторы серии 2SD877 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD877-O имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SD877-Y - в диапазоне от 100 до 200, 2SD877-GR - в диапазоне от 150 до 300.Обозначение на корпусе транзистора 2SD877 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "D877".Комплементарной парой для 2SD877 является транзистор 2SB502A c p-n-p структурой.Транзистор 2SD877 можно заменить на 2SC1113